<div id="iaygc"><div id="iaygc"></div></div><div id="iaygc"></div>
<div id="iaygc"><button id="iaygc"></button></div>
<small id="iaygc"><wbr id="iaygc"></wbr></small>
<div id="iaygc"><button id="iaygc"></button></div>
<wbr id="iaygc"><button id="iaygc"></button></wbr><div id="iaygc"></div>
<div id="iaygc"></div>
<div id="iaygc"></div>
磁控濺射,東北磁控濺射廠家,電弧熔煉
您當前的位置 : 首 頁 > 產品中心 > 磁控濺射
JGP-450型單室磁控濺射

JGP-450型單室磁控濺射

  • 所屬分類:磁控濺射
  • 瀏覽次數:
  • 發布日期:2020-08-07 15:36:58
  • 產品概述
  • 性能特點
  • 技術參數

JGP-450型單室磁控濺射系統

設備用途

JGP-450型單室磁控濺射系統用于納米級單層及多層功能膜、 硬質膜、 金屬膜、 半導體膜、 介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、 科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。

◆設備組成

系統主要由濺射真空室、 磁控濺射靶、 基片水冷加熱臺、 工作氣路、 抽氣系統、 真空測量、 電控系統及安裝機臺等部分組成。磁力送樣機構、 工作氣路、 抽氣系統、 安裝機臺、 真空測量及電控系統等部分組成。

◆技術指標

極限真空度:≤6.6×10-5 Pa (經烘烤除氣后);

系統真空檢漏漏率:≤5.0×10-7 Pa.l/S;

系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣后,再開始抽氣,40分鐘可達到8.0×10-4 Pa;

停泵關機12小時后真空度:≤5 Pa;

磁控濺射設備性能舉例:

1.用直流電源磁控沉積金屬Cu膜,可以制備出沉積速度40nm/min的膜層;同時小樣品的膜厚均勻性可以達到3%;可以在硬質和柔性沉底生長膜層;常溫也可以沉積Cu膜,不脫落,但是結合力不好;

2.用射頻電源磁控沉積氧化硅和氧化鋁膜層(等各頭氧化物薄膜),可以制備出沉積速度3—5nm/min的膜層;小樣品膜層厚度均勻性可以達到3%;膜層的介電性能較好;

系統主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片加熱公自轉臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。

標簽

上一篇:沒有了
下一篇:JGP-560型雙室磁控濺射2020-08-07

最近瀏覽:

国外性直播视频免费观看网站
<div id="iaygc"><div id="iaygc"></div></div><div id="iaygc"></div>
<div id="iaygc"><button id="iaygc"></button></div>
<small id="iaygc"><wbr id="iaygc"></wbr></small>
<div id="iaygc"><button id="iaygc"></button></div>
<wbr id="iaygc"><button id="iaygc"></button></wbr><div id="iaygc"></div>
<div id="iaygc"></div>
<div id="iaygc"></div>