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磁控濺射鍍膜的工藝流程

2021-04-16 09:38:46

磁控濺射鍍膜的工藝流程

1、基體清洗

涂層基片的清洗方法主要根據PVD涂層生長方法和涂層使用目的選定。清洗的主要目的是去除表面污物和化學污物,還應考慮表面的粗化。

2、抽本底真空

本底真空一般應控制在2×10-4Pa以上,以盡量減少真空腔體內的殘余氣體,保證涂層的純潔度。殘余氣體由質譜儀監測。

3、加熱

加熱的作用包括:基片表面除氣取水,提高膜基結合力,消除涂層應力,提高膜層粒子的聚集度。一般選擇在150~200℃之間。

4、輔助氣體分壓

磁控濺射建立滿足輝光放電的氣壓條件,一般選擇0.01~1 Pa范圍內,射頻濺射相對于直流濺射更容易起輝,壓力更低。

5、預濺射

對于靶材材料易氧化,在表面形成一層氧化膜,預濺射是通過離子轟擊的方法去除靶材氧化膜,以及其他非靶材物質。轟擊出來的粒子附著在遮擋屏上通過定時清洗清除出真空室。

6、濺射

濺射建立在等離子體的條件下,氬氣電離后形成的正離子高速轟擊靶材表面,使靶材粒子濺射出來到達基片表面形成涂層。

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7、退火

靶材材料與基片材料的熱膨脹系數的差異,會影響薄膜與基片的結合力。適當應用退火工藝,可以有效提高結合力。退火溫度選擇在400℃以下,一般高于基片加熱溫度。


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