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磁控濺射,東北磁控濺射廠家,電弧熔煉
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本底真空對磁控濺射的影響?

2020-08-12 11:00:16

磁控濺射,磁場操控的二級濺射。

原理是將靶材周圍的氣體電離化,構成等離子體,在等離子體環境中濺射進程。歸于氣體放電領域。

優質的膜層需求操控膜層的安穩性和均勻性,而體現在操控方面,則表現為:磁場、氣場、電源。

1.磁場的安穩:靶芯的磁場的均勻性。

2.氣場的安穩:安穩的抽氣和進氣體系。

3.電源的安穩:反應操控體系。

以上問題決議了膜層操控的好壞。以上的鍍膜設備差價也有百倍、千倍。幾萬到幾億不等。

從以上能看出鍍膜環境對膜層的影響。所以,漏氣狀況跟膜層的好壞聯系巨大。

問題(1):漏氣影響很嚴重。針對分子泵極限真空抵達2X10-2Pa的狀況,漏氣狀況遠大于此時的真空,分子泵在2X10-2Pa的抽速為zui高抽速(用1200L/S的泵體來核算,抽速為1200L/S,排氣流量可達到8.0X102PaL/S,PS:留意這里是102.)漏氣已經很嚴重了。一般極限真空需求在10-5Pa,而本地真空根據工藝要求調理,一般也不會大于8.0X10-2Pa。別的,濺射進程中,布氣管放氣和抽氣進程是通過核算的,其方法可盡量減小氣場的擾動。所以,假如漏氣效果發生的話,將影響漏氣點較大范圍的氣場擾動和氣壓的巨細。膜層也將受到很大影響。




磁控濺射




問題(2):這個問題歸于流體力學,分為粘滯流、分子流、粘滯分子流。三者的差別在于粘滯流是指的分子自在程遠遠小于管道Z小截面,一般為1Pa左右為界定條件;分子流是分子自在程遠遠大于管道Z小截面,一般為10-2Pa左右為界定條件;兩者中間的過度則稱為粘滯分子流。由于分子磕碰方法不同,三者流導核算則歸于不同的核算方法。不過一般來說,鍍膜設備抽氣體系盡量短,而直徑盡量廣泛。才干更好的安穩抽速。抽氣體系的管道直徑也需求依據真空主管道的長度來核算,不過一般的鍍膜真空體系根本沒有問題。主管道間隔0.5m左右,粗度可與分子泵口的寬度相同即可(鍍膜機廠家都核算過)。假如想增加抽速,需求根據詳細管道尺度、轉彎、變徑等狀況詳細核算。


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